ECTFE Sláttur við glasbundnum høvdi bakking

Rátilfar: Innflutt Solvay ECTFE harpiks, við glasbundnum tógvi sum bakstøði. Høga flótandi flótandi hjá ECTFE ger tað lættari at gjøgnumganga tær tríggjar-dimensionella porurnar í bundnu tógvinum.
Prosess: RANA nýtir lága viskositetin, sum er eyðkendur fyri ECTFE gjøgnum "hot{0}}press smelta" tilgongd til at fáa "fulla fyllu" av harpiksi í bundnu tógvið, við fóðrandi Sakporøsiteti Minni enn ella javnbjóðis 0,03% (ídnaðarídnaður Størri enn ella javnur við 0,1%).

Kjarna: Samansetingin av trimum{0}}dimensionellum retimensionellum retikulærum bygnaði av glasbundnum tógvi og høgum fyllieginleika hjá ECTFE myndar eitt "gap-frítt" samansett lag, sum ger at ógjøgnumførslan (gjøgnumføri Minni enn ella javnbjóðis 0,0003g/m2·dag) og társtyrki ( Størri enn ella javnbjóð sera gjøgnumskygdar miðlar.
Fyrimunir: Royndir av East Kina University of Science og tøkni fyri gjøgnumførslu, vísir tað onga gjøgnumgongd eftir 3 ár av niðurdýping í flótandi bromi (høgt gjøgnumførandi miðil) (vanlig ECTFE Sheets lek eftir 1 ár), við einum hitamótstøðuføri á -50 stig til 150 stig , sum heldur uppfinningina fyriFramleiðslutilgongd av stórari evnafrøðiligari útgerð og fóðrandi fyribyrgjandiArks, og altjóða leiðandi tilgongdarstøði.

Umsóknar Scenario: Brúkt í goymslutangar og flutningstangaskip til sera gjøgnumskygdar miðlar (t.d. flótandi brom, klorosulfonsýra). Tað hevur veitt loysnir til SMIC og Qiaoli Chemical (Taiwan, Kina), sum tryggjar miðal reinleika (metal ion innihald Minni enn ella javnbjóðis 0,1ppb) og hjálpa kundunum at betra um góðskuna av høgt-end tilfari.

Heit merki: ECTFE ark við glasbundnum tógvi, Kina ECTFE ark við glasbundnum tógvi bakframleiðarum, veitarum, verksmiðja